5.11、pn结正向偏置时，外电场的方向与内电场的方向_相反__，有利于_多数载流子_ _的__扩散___运动而不利于_少数载流子___的_漂移___pn结反向偏置时，外电场的方向与内电场的方向_一致___有利于_少子___的__扩散__运动而不利于_多子___的_扩散___这种情况下的电流称为__反向饱和___电流。
2、n型半导体是在本征半导体中掺入极微量的_五___价元素组成的。这种半导体内的多数载流子为_自由电子___少数载流子为__空穴___不能移动的杂质离子带_正___电。p型半导体是在本征半导体中掺入极微量的__三__价元素组成的。
这种半导体内的多数载流子为__空穴___少数载流子为_自由电子___不能移动的杂质离子带__负___电。
3、pn结两端加正向电压时，其正向电流是（ a ）而成。
a、多子扩散 b、少子扩散 c、少子漂移 d、多子漂移。
4、p型半导体是在本征半导体中加入微量的（ a ）元素构成的。
a、三价 b、四价 c、五价 d、六价。
5、在单相桥式整流电容滤波电路中，若有一只整流管断开，则输出电压的平均值将变为原来的一半。（ 错 ）
6、pn结正向偏置时，其内、外电场方向一致错 ）
7、自由电子载流子填补空穴的"复合"运动产生空穴载流子对 ）
8、p型半导体中不能移动的杂质离子带负电，说明p型半导体呈负电性。 （错 ）
9、n型半导体中的多子是带负电的自由电子载流子，p型半导体中的多子是带正电的空穴载流子，因此n型半导体带负电，p型半导体带正电。上述说法对吗？为什么？
答：这种说法是错误的。因为晶体在掺入杂质后，只是共价键上多了电子或少了电子，从而获得了n型半导体或p型半导体，但整块晶体中既没有失电子也没有得电子，所以仍呈电中性。
10、如图所示电路，判断各二极管处于何种工作状态？设vd=0.7v，求uao=？
解：图（a）中的二极管处于截止状态，uao=-12v。
图（b）中的二极管vd1处于导通状态，vd2处于截止状态，uao=-0.7v。
图（c）中的vd1、vd3处于截止状态，vd2、vd4处于导通状态，uao=7.3v。
1、在桥式整流滤波电路中，输出电压uo与变压器二次电压u2的关系是___
2、单相半波整流电路的优点是_结构简单___和__使用的元器件少___缺点是__效率低___输出脉动大___和__交流成分低___等。
3、整流电路是利用具有_单向导电性___的整流器件，将__大小___随时间变化的正弦交流电压变成__单向脉动___的直流电压。常见的整流器件有_整流二极管___和晶闸管。
4、单相桥式整流电路中，如果二极管vd2断路，则电路会（a ）。
a、等效为半波整流电路 b、正常工作 c、整流管将因电流过大而烧坏。
5、单相桥式整流电路中，如果二极管vd2接反了，则电路会（ c ）。
a、等效为半波整流电路 b、正常工作 c、整流管将因电流过大而烧坏。
6、整流的目的是（ a ）。
a、将交流变为直流 b、将高频变为低频 c、将正弦波变为方波。
7、在单相二极管整流电路中，设各种电路的变压器二次电压u2均相同，则二极管承受反向电压最高的是（ b ），输出电压最低的是（a ）。
a、半波整流电路 b、全波整流电路 c、桥式整流电路。
8、在变压器二次电压相同的情况下，桥式整流电路的输出直流电压比半波整流电路的高1.2倍。（ 错 ）
9、整流电路可将正弦电压变为脉动的直流电压。（对 ）
10、如图所示电路中，已知e=5v，v，二极管为理想元件（即认为正向导通时电阻r=0，反向阻断时电阻r=∞）试画出u0的波形。
答：分析：根据电路可知，当ui>e时，二极管导通u0=ui；当ui5.3
1、稳压管是一种由特殊物质制造的___接触型的面___二极管，正常工作应在特性曲线的__反向击穿区。
2、稳压二极管的正常工作状态是（ c ）。
a、导通状态 b、截止状态 c、反向击穿状态 d、任意状态。
3、稳压二极管也具有单向导电性，因此可作为整流器件使用。（错 ）
4、二极管只要工作在反向击穿区，一定会被击穿错 ）
5、如图所示电路中，硅稳压管dz1的稳定电压为8v，dz2的稳定电压为6v，正向压降均为0.7v，求各电路的输出电压u0。
答：（a）图：两稳压管串联，总稳压值为14v，所以u0=14v；
（b）图：两稳压管并联，输出电压按小值计，因此u0=6v；
（c）图：两稳压管反向串联，u0=8.7v；
（d）图：两稳压管反向并联，可认为dz1截止不通，则u0=0.7v。
6、如图所示稳压管电路，其中vz1=7v，vz2=3v，两管正向导通电压均为0.7v，该电路的输出电压为多大？为什么？
解：电路的输出电压为3v。若输出电压为7v，则vz2可能会被击穿而烧坏。
1、二极管上标有色环，带色环的一端则为_负___
2、检测二极管极性时，需用万用表欧姆挡的__ r×1k___档位，当检测时表针偏转度较大时，与红表棒相接触的电极是二极管的__阴__极；与黑表棒相接触的电极是二极管的_阳__极。检测二极管的好坏时，两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很大时，说明二极管已经被__击穿___两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很小时，说明该二极管已经_绝缘老化不通___
3、用万用表检测某二极管时，发现其正、反电阻均约等于1kω，说明该二极管（ c ）。
a、已经击穿 b、完好状态 c、内部老化不通 d、无法判断。
1、三极管具有电流放大作用的实质是利用___基极___电流实现对___集电极___电流的控制。
2、三极管的内部结构是由 __发射___区、__基___区、__集电___区及__发射___结和__集电___结组成的。三极管对外引出的电极分别是__发射___极、__基___极和__集电___极。
3、若使三极管具有电流放大能力，必须满足的外部条件是（ c ）。
a、发射结正偏、集电结正偏 b、发射结反偏、集电结反偏。
c、发射结正偏、集电结反偏 d、发射结反偏、集电结正偏。
4. 三极管超过（ c ）所示极限参数时，必定被损坏。
a、集电极最大允许电流icm b、集-射极间反向击穿电压u（br）ceo
c、集电极最大允许耗散功率pcm d、管子的电流放大倍数。
5、双极型三极管的集电极和发射极类型相同，因此可以互换使用。 （错 ）
6、当三极管的集电极电流大于它的最大允许电流icm时，该管必被击穿。 （错 ）
7、如果把三极管的集电极和发射极对调使用？三极管会损坏吗？为什么？
答：集电极和发射极对调使用，三极管不会损坏，但是其电流放大倍数会大大降低。因为集电极和发射极的杂质浓度差异很大，且结面积也不同。
8、半导体二极管由一个pn结构成，三极管则由两个pn结构成，那么，能否将两个二极管背靠背地连接在一起构成一个三极管呢？如不能，请说明理由？
答：将两个二极管背靠背地连接在一起是不能构成一个三极管的。因为，两个背靠背的二极管，其基区太厚，不符合构成三极管基区很薄的内部条件，即使是发射区向基区发射电子，到基区后也都会被基区中大量的空穴复合掉，根本不可能有载流子继续向集电区扩散，所以这样的"三极管"是不会有电流放大作用的。
9、半导体和金属导体的导电机理有什么不同？单极型和双极型晶体管的导电情况又有何不同？
答：金属导体中只有自由电子一种载流子参与导电，而半导体中则存在空穴载流子和自由电子两种载流子，它们同时参与导电，这就是金属导体和半导体导电机理上的本质不同点。单极型晶体管内部只有多数载流子参与导电，因此和双极型晶体管中同时有两种载流子参与导电也是不同的。
10、某人用测电位的方法测出晶体管三个管脚的对地电位分别为管脚①12、管脚②3v、管脚③8.5v，试判断管子的类型以及各管脚所属电极。
答：管脚③和管脚②电压相差0.7v，显然是硅管，一个是基极，另一个是发射极，而管脚①比管脚②和③的电位都高，所以一定是一个npn型硅管。
再根据管子在放大时的原则可判断出管脚②是发射极，管脚③是基极，管脚①是集电极。
11、三极管各电极实测数据如图所示。回答以下问题：
1）各个管子是pnp型还是npn型？
2）是锗管还是硅管？
3）管子是否损坏（指出哪个结已开路或短路）？若不损坏处于放大、截止、饱和哪一种工作状态？
解：图（a）的三极管为npn型si管，处于放大状态。
图（b）的三极管为pnp型ge管，处于放大状态。
图（c）的三极管为pnp型si管，管子损坏，发射结开路。
图（d）的三极管为npn型si管，处于饱和状态。
图（e）的三极管为pnp型ge管，处于截止状态。
1、共发射极放大电路的特点是：不仅具有电流放大倍数，而且__具有电压放大倍数___放大电路中三极管的管压降uce随ic__增大而减小___输出信号与输入信号_反向___
2、共集电极放大电路又叫__射极输出器___其电路特点为：_电压放大倍数小于1___输出电压与输入电压__同向___输入电阻___高___输出电阻__低___由于它的这些特点，该电路常常被用作多级放大电路的_输入级___输出级___或__中间隔离级___
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