三、场效应管参数符号意义。
cds---漏-源电容。
cdu---漏-衬底电容。
cgd---栅-源电容。
cgs---漏-源电容。
ciss---栅短路共源输入电容。
coss---栅短路共源输出电容。
crss---栅短路共源反向传输电容。
d---占空比（占空系数，外电路参数）
di/dt---电流上升率（外电路参数）
dv/dt---电压上升率（外电路参数）
id---漏极电流（直流）
idm---漏极脉冲电流。
id(on)--通态漏极电流。
idq---静态漏极电流（射频功率管）
ids---漏源电流。
idsm---最大漏源电流。
idss---栅-源短路时，漏极电流。
ids(sat)--沟道饱和电流（漏源饱和电流）ig---栅极电流（直流）
igf---正向栅电流。
igr---反向栅电流。
igdo---源极开路时，截止栅电流。
igso---漏极开路时，截止栅电流。
igm---栅极脉冲电流。
igp---栅极峰值电流。
if---二极管正向电流。
igss---漏极短路时截止栅电流。
idss1---对管第一管漏源饱和电流。
idss2---对管第二管漏源饱和电流。
iu---衬底电流。
ipr---电流脉冲峰值（外电路参数）
gfs---正向跨导。
gp---功率增益。
gps---共源极中和高频功率增益。
gpg---共栅极中和高频功率增益。
gpd---共漏极中和高频功率增益。
ggd---栅漏电导。
gds---漏源电导。
k---失调电压温度系数。
ku---传输系数。
l---负载电感（外电路参数）
ld---漏极电感。
ls---源极电感。
rds---漏源电阻。
rds(on)--漏源通态电阻。
rds(of)--漏源断态电阻。
rgd---栅漏电阻。
rgs---栅源电阻。
rg---栅极外接电阻（外电路参数）
rl---负载电阻（外电路参数）
r(th)jc---结壳热阻。
r(th)ja---结环热阻。
pd---漏极耗散功率。
pdm---漏极最大允许耗散功率。
pin--输入功率。
pout---输出功率。
ppk---脉冲功率峰值（外电路参数）
to(on)--开通延迟时间。
td(off)--关断延迟时间。
ti---上升时间。
ton---开通时间。
toff---关断时间。
tf---下降时间。
trr---反向恢复时间。
tj---结温。
tjm---最大允许结温。
ta---环境温度。
tc---管壳温度。
tstg---贮成温度。
vds---漏源电压（直流）
vgs---栅源电压（直流）
vgsf--正向栅源电压（直流）
vgsr---反向栅源电压（直流）
vdd---漏极（直流）电源电压（外电路参数）vgg---栅极（直流）电源电压（外电路参数）vss---源极（直流）电源电压（外电路参数）vgs(th)--开启电压或阀电压。
v（br）dss---漏源击穿电压。
v（br）gss---漏源短路时栅源击穿电压。
vds(on)--漏源通态电压。
vds(sat)--漏源饱和电压。
vgd---栅漏电压（直流）
vsu---源衬底电压（直流）
vdu---漏衬底电压（直流）
vgu---栅衬底电压（直流）
zo---驱动源内阻。
---漏极效率（射频功率管）
vn---噪声电压。
aid---漏极电流温度系数。
ards---漏源电阻温度系数。
场效应管基础知识
功率mosfet的基本知识。自1976年开发出功率mosfet以来，由于半导体工艺技术的发展，它的性能不断提高 如高压功率mosfet其工作电压可达1000v 低导通电阻mosfet其阻值仅lom 工作频率范围从直流到达数兆赫 保护措施越来越完善 并开发出各种贴片式功率mosfet 如silicon...
场效应管基础知识介绍
五 场效应管的测试。1 结型场效应管的管脚识别 场效应管的栅极相当于晶体管的基极，源极和漏极分别对应于晶体管的发射极和集电极。将万用表置于r 1k档，用两表笔分别测量每两个管脚间的正 反向电阻。当某两个管脚间的正 反向电阻相等，均为数k 时，则这两个管脚为漏极d和源极s 可互换 余下的一个管脚即为栅...
场效应管的测量方法
场效应管检测方法与经验。mos场效应管的输人电阻高，栅极 允许的感应电压不应过高，所以不要直接用手去捏栅极，必须用于握螺丝刀的绝缘柄，用金属杆去碰触栅极，以防止人体感应电荷直接加到栅极，引起栅极击穿。一 用指针式万用表对场效应管进行判别 1 用测电阻法判别结型场效应管的电极。根据场效应管的pn结正 ...