2019《电子技术基础》补考考试试题

发布 2024-04-17 04:35:11 阅读 6229

班级姓名出题人: 樊建

一:选择题 (每题4分,共40分)

1:室温下,本征半导体硅中自由电子和空穴的浓度关系是。

a.空穴浓度大于自由电子浓度 b. 空穴浓度等于自由电了浓度

2:电压控制型器件是利用来控制输出电流。

a: 输入电流 b:输入电压

3:数字信号是指。

a.幅值连续、时间连续 b.幅值不连续、时间连续。

4:三极管极间电流满足ic=βib关系时,三极管肯定工作在。

a. 饱和区 b. 放大区。

5:脉冲信号是。

a:模拟信号 b.数字信号

6:逻辑加运算规则1+1应该等于。

a. 1b.10

7: 整流的作用是。

a:把交流电转换成直流电 b:把直流电转换成交流电

8:能实现”有1出0,全0出1”逻辑功能的门电路是。

a.或门b.或非门

9:将**(100011001)b转换为十进制数为。

a.119b.151 c.79

10:逻辑运算a+a的值为。

a.2a b.a

二:判断题 (每题4分,共40分)

:逻辑代数中的"0"和"1"是代表两种不同的逻辑状态,并不表示数值的大小. (

:"非"门通常是多个输入端,一个输出端。

:在n型半导体中,多数载流子是空穴,少数载流子是自由电子。(

:画交流放大器的直流通路时,电容要做开路处理,画交流通路时,直流电源和电容器要做短路处理。

:十进制数266转换成二进制数是1111110

:二极管两端加正向电压导通,加反向电压截止。

:电容的基本功能是存储电荷。

:晶体三极管的发射区和集电区是由同一种半导体材料制成的,所以发射极和集电极可以互换使用。

:pn结反向击穿后肯定能损坏。

10:为使晶体管处于饱和工作状态,其发射结应加反向电压,集电结应加正向电压。 (

三:画图题:(共20分)

1:画出与门,或门,非门的逻辑符号,并写出真值表。 (5分)

2:画出桥式整流电路的原理图,并写出电流的流经路径。(5分)

四:计算题:

1.完成下列运算,要求完整的计算过程。 (5分)

y= (化简)

2. 有5个电阻,每个电阻是10欧姆,如果把四个电阻串联起来,总阻值是多少?并联起来总阻值是多少?画出电路图并计算两种情况下的总阻值。(5分)

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2019电子技术基础考试试卷B

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