〖本章主要内容〗
本章重点讲述半导体器件的结构原理、外特性、主要参数及其物理意义，工作状态或工作区的分析。
首先介绍构成pn结的半导体材料、pn结的形成及其特点。其后介绍二极管、稳压管的伏安特性、电路模型和主要参数以及应用举例。然后介绍两种三极管（bjt和fet）的结构原理、伏安特性、主要参数以及工作区的判断分析方法。
本章学时分配〗
本章分为4讲，每讲2学时。
第一讲常用半导体器件。
一、主要内容。
1、半导体及其导电性能。
根据物体的导电能力的不同，电工材料可分为三类：导体、半导体和绝缘体。半导体可以定义为导电性能介于导体和绝缘体之间的电工材料，半导体的电阻率为10-3～10-9 cm。
典型的半导体有硅si和锗ge以及砷化镓gaas等。
半导体的导电能力在不同的条件下有很大的差别：当受外界热和光的作用时，它的导电能力明显变化；往纯净的半导体中掺入某些特定的杂质元素时，会使它的导电能力具有可控性；这些特殊的性质决定了半导体可以制成各种器件。
2、本征半导体的结构及其导电性能。
本征半导体是纯净的、没有结构缺陷的半导体单晶。制造半导体器件的半导体材料的纯度要达到99.9999999%，常称为“九个9”，它在物理结构上为共价键、呈单晶体形态。
在热力学温度零度和没有外界激发时，本征半导体不导电。
3、半导体的本征激发与复合现象。
当导体处于热力学温度0 k时，导体中没有自由电子。当温度升高或受到光的照射时，价电子能量增高，有的价电子可以挣脱原子核的束缚而参与导电，成为自由电子。这一现象称为本征激发（也称热激发）。
因热激发而出现的自由电子和空穴是同时成对出现的，称为电子空穴对。
游离的部分自由电子也可能回到空穴中去，称为复合。
在一定温度下本征激发和复合会达到动态平衡，此时，载流子浓度一定，且自由电子数和空穴数相等。
4、半导体的导电机理。
自由电子的定向运动形成了电子电流，空穴的定向运动也可形成空穴电流，因此，在半导体中有自由电子和空穴两种承载电流的粒子（即载流子），这是半导体的特殊性质。空穴导电的实质是：相邻原子中的价电子（共价键中的束缚电子）依次填补空穴而形成电流。
由于电子带负电，而电子的运动与空穴的运动方向相反，因此认为空穴带正电。
5、杂质半导体。
掺入杂质的本征半导体称为杂质半导体。杂质半导体是半导体器件的基本材料。在本征半导体中掺入五价元素（如磷），就形成n型（电子型）半导体；掺入三价元素（如硼、镓、铟等）就形成p型（空穴型）半导体。
杂质半导体的导电性能与其掺杂浓度和温度有关，掺杂浓度越大、温度越高，其导电能力越强。
在n型半导体中，电子是多数载流子，空穴是少数载流子。
多子（自由电子）的数量＝正离子数＋少子（空穴）的数量。
在p型半导体中，空穴是多数载流子，电子是少数载流子。
多子（空穴）的数量＝负离子数＋少子（自由电子）的数量。
6、pn结的形成及其单向导电性。
半导体中的载流子有两种有序运动：载流子在浓度差作用下的扩散运动和电场作用下的漂移运动。同一块半导体单晶上形成p型和n型半导体区域，在这两个区域的交界处，当多子扩散与少子漂移达到动态平衡时，空间电荷区（亦称为耗尽层或势垒区）的宽度基本上稳定下来，pn结就形成了。
当p区的电位高于n区的电位时，称为加正向电压（或称为正向偏置），此时，pn结导通，呈现低电阻，流过ma级电流，相当于开关闭合；
当n区的电位高于p区的电位时，称为加反向电压（或称为反向偏置），此时，pn结截止，呈现高电阻，流过μa级电流，相当于开关断开。
pn结是半导体的基本结构单元，其基本特性是单向导电性：即当外加电压极性不同时，pn结表现出截然不同的导电性能。
pn结加正向电压时，呈现低电阻，具有较大的正向扩散电流；pn结加反向电压时，呈现高电阻，具有很小的反向漂移电流。这正是pn结具有单向导电性的具体表现。
7、pn结伏安特性。
pn结伏安特性方程：
式中：is为反向饱和电流；ut为温度电压当量，当t＝300k时，≈26mv
当u＞0且u >>时，，伏安特性呈非线性指数规律 ；
当u＜0且︱u︱>>时，，电流基本与u无关；由此亦可说明pn结具有单向导电性能。
pn结的反向击穿特性：当pn结的反向电压增大到一定值时，反向电流随电压数值的增加而急剧增大。pn结的反向击穿有两类：
齐纳击穿和雪崩击穿。无论发生哪种击穿，若对其电流不加以限制，都可能造成pn结的永久性损坏。
8、pn结温度特性。
当温度升高时，pn结的反向电流增大，正向导通电压减小。这也是半导体器件热稳定性差的主要原因。
9、pn结电容效应。
pn结具有一定的电容效应，它由两方面的因素决定：一是势垒电容cb ，二是扩散电容cd，它们均为非线性电容。
势垒电容是耗尽层变化所等效的电容。势垒电容与pn结的面积、空间电荷区的宽度和外加电压等因素有关。
扩散电容是扩散区内电荷的积累和释放所等效的电容。扩散电容与pn结正向电流和温度等因素有关。
pn结电容由势垒电容和扩散电容组成。pn结正向偏置时，以扩散电容为主；反向偏置时以势垒电容为主。只有在信号频率较高时，才考虑结电容的作用。
二、本讲重点。
1、pn结的单向导电性；
2、pn结的伏安特性；
三、本讲难点。
1、 半导体的导电机理：两种载流子参与导电；
2、 掺杂半导体中的多子和少子。
3、 pn结的形成；
四、教学组织过程。
本讲宜教师讲授。用多**演示半导体的结构、导电机理、pn结的形成过程及其伏安特性等，便于学生理解和掌握。
五、课后习题。
见相应章节的“习题指导”。
第二讲半导体二极管。
一、主要内容。
1、半导体二极管的几种常见结构及其应用场合。
在pn结上加上引线和封装，就成为一个二极管。二极管按结构分为点接触型、面接触型和平面型三大类。
点接触型二极管pn结面积小，结电容小，常用于检波和变频等高频电路。面接触型二极管pn结面积大，结电容大，用于工频大电流整流电路。平面型二极管pn结面积可大可小，pn结面积大的，主要用于功率整流；结面积小的可作为数字脉冲电路中的开关管。
2、二极管的伏安特性以及与pn结伏安特性的区别。
半导体二极管的伏安特性曲线如p7图1.9所示，处于第一象限的是正向伏安特性曲线，处于第三象限的是反向伏安特性曲线。
1）正向特性：当v＞0，即处于正向特性区域。正向区又分为两段：
1）当0＜v＜uon时，正向电流为零，uon称为死区电压或开启电压。
2）当v＞uon时，开始出现正向电流，并按指数规律增长。
2）反向特性：当v＜0时，即处于反向特性区域。反向区也分两个区域：
1）当vbr＜v＜0时，反向电流很小，且基本不随反向电压的变化而变化，此时的反向电流也称反向饱和电流is。
2）当v≤vbr时，反向电流急剧增加，vbr称为反向击穿电压。
从击穿的机理上看，硅二极管若|vbr|≥7 v时，主要是雪崩击穿；若vbr≤4 v则主要是齐纳击穿，当在4 v～7 v之间两种击穿都有，有可能获得零温度系数点。
3）二极管的伏安特性与pn结伏安特性的区别：二极管的基本特性就是pn结的特性。与理想pn结不同的是，正向特性上二极管存在一个开启电压uon。
一般，硅二极管的uon=0.5 v左右，锗二极管的uon=0.1 v左右；二极管的反向饱和电流比pn结大。
3、温度对二极管伏安特性的影响。
温度对二极管的性能有较大的影响，温度升高时，反向电流将呈指数规律增加，硅二极管温度每增加8℃，反向电流将约增加一倍；锗二极管温度每增加12℃，反向电流大约增加一倍。
另外，温度升高时，二极管的正向压降将减小，每增加1℃，正向压降ud大约减小2mv，即具有负的温度系数。
4、二极管的等效电路（或称为等效模型）
1）理想模型：即正向偏置时管压降为0，导通电阻为0；反向偏置时，电流为0，电阻为∞。适用于信号电压远大于二极管压降时的近似分析。
2）简化电路模型：是根据二极管伏安特性曲线近似建立的模型，它用两段直线逼近伏安特性，即正向导通时压降为一个常量uon；截止时反向电流为0。
3）小信号电路模型：即在微小变化范围内，将二极管近似看成线性器件而将它等效为一个动态电阻rd 。这种模型仅限于用来计算叠加在直流工作点q上的微小电压或电流变化时的响应。
5、二极管的主要参数。
1）最大整流电流iｆ：二极管长期工作允许通过的最大正向电流。在规定的散热条件下，二极管正向平均电流若超过此值，则会因结温过高而烧坏。
2）最高反向工作电压ubr：二极管工作时允许外加的最大反向电压。若超过此值，则二极管可能因反向击穿而损坏。一般取ubr值的一半。
3）电流ir：二极管未击穿时的反向电流。对温度敏感。ir越小，则二极管的单向导电性越好。
4）最高工作频率fm：二极管正常工作的上限频率。若超过此值，会因结电容的作用而影响其单向导电性。
6、稳压二极管（稳压管）及其伏安特性。
稳压管是一种特殊的面接触型半导体二极管，通过反向击穿特性实现稳压作用。
稳压管的伏安特性与普通二极管类似，其正向特性为指数曲线；当外加反压的数值增大到一定程度时则发生击穿，击穿曲线很陡，几乎平行于纵轴，当电流在一定范围内时，稳压管表现出很好的稳压特性。
7、稳压管等效电路。
稳压管等效电路由两条并联支路构成：①加正向电压以及加反向电压而未击穿时，与普通硅管的特性相同；②加反向电压且击穿后，相当于理想二极管、电压源uz和动态电阻rz的串联。如p16图1.
18所示。
8、稳压管的主要参数。
1）稳定电压uz：规定电流下稳压管的反向击穿电压。
2）最大稳定工作电流izmax 和最小稳定工作电流izmin：稳压管的最大稳定工作电流取决于最大耗散功率，即pzmax =uzizmax 。而izmin对应uzmin。
若iz＜izmin，则不能稳压。
3）额定功耗pzm：pzm ＝uz izmax ，超过此值，管子会因结温升太高而烧坏。
4）动态电阻rz：rz =vz /iz，其概念与一般二极管的动态电阻相同，只不过稳压二极管的动态电阻是从它的反向特性上求取的。rz愈小，反映稳压管的击穿特性愈陡，稳压效果愈好。
5）温度系数α：温度的变化将使uz改变，在稳压管中，当uz＞7 v时，uz具有正温度系数，反向击穿是雪崩击穿；当uz＜4 v时，uz具有负温度系数，反向击穿是齐纳击穿；当4 v＜vz＜7 v时，稳压管可以获得接近零的温度系数。这样的稳压二极管可以作为标准稳压管使用。
9、稳压管稳压电路。
稳压二极管在工作时应反接，并串入一只电阻。电阻有两个作用：一是起限流作用，以保护稳压管；二是当输入电压或负载电流变化时，通过该电阻上电压降的变化，取出误差信号以调节稳压管的工作电流，从而起到稳压作用。
如p17图1.19所示。
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