05/12
一、 电阻器（ω）
1． 阻器主要用于控制电压和电流，一般分为普通电阻和。
精密电阻。普通电阻为4色环：
精密电阻为5色环，与普通电阻相比多一个第三位有效数值。
2． 常用特殊的电阻有热敏电阻、压敏电阻和排式电阻。
热敏电阻：①正温度系数热敏电阻（电阻值与温度成正比）
负温度系数热敏电阻（电阻值与温度成反比）
排式电阻是由多个电阻接成一排电阻组成。
压敏电阻的特性是当两端电压低于标称额定电压值时，阻。
值近无穷大，为高阻状态。当高于标称额定电压时，压敏电阻迅速击穿导通，为低阻状态。电压下降低于标称值时恢复高阻状态，当超过最大限制电压时，压敏电阻会击穿损坏无法自动恢复。
3. 电阻损坏情况一般为变值或烧坏。
二、 电容器。
1． 电容具有充、放电及通交流、隔直流的特性，主要分为介质电容和电解电容以及高频电容和低频电容。
2． 电容代换主要是参数相同性能更优的可替代；耐压高的可替代耐压低的。
3． 电容损坏首先可从外形判断，一般膨胀、变形的电容是坏的。容值大的可用电阻档测量，阻值能由小缓升到∞是好的。容值小的可用电容档测量，容值偏差不大是好的。
三、 二极管。
1． 双向击穿二极管也称瞬态电压抑制二极管，主要用于保护电路瞬间出现浪涌脉冲电压时，双向击穿二极管的迅速齐纳击穿、由高阻状态变为低阻状态。
2． 稳压二极管是利用二极管反向击穿后，在一定反向电流范围内反向电压不会随反向电压变化。
3． 整流二极管是利用单向导通性将交流电变化成直流电。
4． 发光二极管是将电能转化为光能。
5． 肖特基二极管是低功耗、超高速半导体器件，优点是反向恢复时间短、电流大；缺点是反向击穿耐压值偏低。
6． 阻尼二极管具有较低的电压降和较高的工作频率和较高的反向击穿电压及较大的峰值电流。
7． 二极管正、反电阻值相差越悬殊，说明单向导电性越好。用万用表的二极管档测pn结，正向压降约为0.2-0.
7，反向为∞。若测得正、反向压降值较小或一样，说明二极管已损坏；正、反向值都是∞说明二极管已开路；二极管软击穿可用万用表的电阻档测量，测出正、反向阻值较接近。
8． 桥堆可看作由四个二极管组成，测量方式与二极管一致。
四、 三极管（晶体管）
1． 三极管主要有电流放大系数、耗散功率、频率特性、集电极最大电流、最大反向电压、反向电流等，分为npn型和pnp型。
2． 三极管npn型：
三极管任两极之间均有反向击穿电压。
3． 三极管的工作条件是发射结（b、e极）加上较低的正向电压（即正向偏置电压）、集电结（b、c极）加上较高的反向电压（反向偏置电压）
4． 三极管的工作状态有截止、导通和饱和三种状态。饱和状态是反向偏置电压合适，发射结正向偏置电压增大一定值时（硅管等于或略高于0.7v，锗管等于或略高于0.
3v），此时集电极电流ic将处于恒定状态，且不受基极电流ib控制。
5． 达林顿管是由三极管复合而成，大功率是再增加泄放电阻或续流二极管组成保护电路，稳定性更高，驱动电流更大。
达林顿管主要用于高增益放大或用于驱动。
6． 光敏三极管是具有放大能力的光电转换三极管：
7． 三极管的检测可用万用表的二极管档测两个pn结的压降，正向为0.2—0.7v，反向为∞，若值异常可粗略判断三极管好坏。
也可用电阻档测三极管c、e极（1.5kω以上）。三极管损坏形式一般为b-e结击穿，严重时c-b、c-e结也会穿，也有开路形式损坏的。
8． 常用三极管引脚排列，面朝有元件标识：
1 c9013（npn）、ne5551（npn）、c9012（pnp）：
2 c1815（npn）：
3 tip41、bux85、d1403均为（npn），tip42（pnp）
五、 场效应管（一般为mds场效应管）也称场效应晶体管。
1． 场效应管主要有夹断电压、开启电压、饱和漏电流、泄漏电流、击穿电压、耗散功率、直流输入电阻、低频跨导、漏源动态电阻和极间电容等。
2． 场效应管符号：
1 夹断电压vgs（n型）<-5v
2 低频跨导gm也称放大特性。
3 极间均有电容cgd、cgs=1—3pf，cds=0.1—1pf
3． igbt场效应管：
其内部由功率mds场效应晶体管和双极型达林顿管构成。采用电压控制，在大电流状态下工作时，导通内阻较低，管压降小，对温度不敏感，具有较好的开关特性。
4． 场效应管测量：用二极管档测量g对d和s极都是双向∞。s对d相当一个pn结测试。
mds管损坏一般为d、s极击穿，严重时g—s极也击穿。场效应管开路可用电阻档测量，阻值为∞。模块时否损坏还可测量g—e极的结电容一般应4—40nf。
5． 三极管和场效应管替代要注意管脚顺序，一般耐压高、耐流大、频率特性高的可替代低的，在维护时尽可能不替换。
6． 常用的场效应管的引脚排列如下，面朝有元件标识：
irfp150n、irfp250、irfp250b、irfp250a、irfp450、irfp460、k719、ifxh26n50、irfz44n、irfz46n、irfz48n、irf3710、irf840等。
六、 晶闸管（可控硅）
1． 晶闸管主要参数有正向转折电压、正向平均漏电流，通态平均电流、门极触发电压、门极触发电流、反向漏电流等。
当a接+，k接-，g加正向触发电压时，晶闸管导通，只有当a、k极性改变才会阻断。
2． 双向晶闸管：
只要t1、t2间有一定压差，g有一定触发电压则导通。
3． 晶闸管测量a、k间二极管档测为∞，g、k间为一个pn结。晶闸管损坏形式一般为开路、击穿或门极关断，开启不良。
七、 继电器：
1． 继电器一般由线圈、铁芯、带触点的簧片等组成。
2． 继电器线圈电压可以有交、直流两种，电磁式的继电器吸合后，线圈内必须有一定的维持电流，才能使触点保持吸合。
3． 我们使用继电器常用常开和常闭两种，使用时应注意触点的容量（电流、电压），com为公共端，nc为常闭端，no为常开端。
4． 测量继电器的好坏首先测线圈阻抗（n+ω到nkω），其次是触点是否粘死或吸合时不能到位，可外加工作电压，吸合时no对com导通，放开时nc对com导通。
5． 温变继电器。
八、 变压器和电感。
1． 电感主要作用是对交流信号隔离、滤波或与电容、电阻组成谐振电路，它与变压器一样均有高低频之分。
2． 电感主要参数有电感量、品质因素、允许偏差、分布电容等。电感量取决于线圈匝数、绕制方法、有无磁芯及磁芯的材料。
3． 电感损坏形式为开路或短路。
4． 变压器主要参数有电压比、频率特性、额定功率和效率等。
我们使用变压器主要有自耦变压器、电源变压器、隔离变压器和高、中、低频变压器。
5． 变压器损坏一般为内部短路或开路，可用万用表电阻档检查，也可用通电温度检查、电流检查等。
九、 晶振和显示器件。
1． 晶振是一种取代lc谐振回路的晶体谐振器件，我们在使用cpu工作大都才用晶振。
不同晶振与r、c1、c2配合不同。
2． 晶振的检测方法可用电阻档测晶振的两端，正、反均为∞。用电容档测约为几百pf。另外外接电容c1、c2匹配值要一致，否则也可能造成晶振不工作。
3． 我们采用显示器主要有led数码显示器和lcd液晶显示器。led数码可采用发光二极管逐个检查。
一十、 集成电路（芯片）
1． 芯片正常工作首先要有正常的工作电源（vd、vss）电压超出其工作电压时很容易造成芯片损坏。
2． 各种芯片的运**况主要看原先发放的材料。这里举常用的集成块3845来说明芯片的工作。
如果uc3845不工作，首先测7p的电源，5p 是否接地。如果测7p电源为<8vdc并不能说明是电源出问题。如c1或c2短路，也会造成4p不起振，7p电源被拉低，c3接地端断开也会造成该现象。
一般场效应管驱动电阻很小为几十到几百ω，如r1变值为几kω以上也会造成工作不良。
3． 三端稳压管有78系列、79系列、47系列、tl431。
电子元器件基础知识培训
一 电阻。1 电阻的外观 形状如下图示 2 电阻在底板上用字母r 表示 图形如下表示 从结构分有 固定电阻器和可变电阻器。3 电阻的分类 从材料分有 碳膜电阻器 金属膜电阻器 线绕电阻器 热敏电阻等。从功率分有 1 16w 1 8w 1 4w 常用 2w 1w 2w 3w等。4 电阻和单位及换算 1...
电子元器件检验标准
一 芯片。1 目视检查，来料包装应完好无破损，标识清晰。2 封装正确，引脚完整，无断裂，无明显歪斜。3 表面不可有油污，水渍及其它脏物。由运输材料引起而且能够被空气吹走的灰尘是可被接收的。4 抽取该批次的2到3块芯片使用，确保功能正常。二 电阻 1 目视检查，来料包装应完好无破损，标识清晰 2 色环...
关键元器件和材料的定期确认检验程序
廊坊开发区 电力 程序文件。q lkjyb 17 ccc 编制人 审核人 批准人 2003年05月发布 2003年06月实施。1 目的。为符合认证产品型式试验的技术要求，确认批量生产的出厂产品的整体性能与型式试验合格产品的一致性。2 范围。适用于符合国家 行业 法律法规及用户要求并已经取得产品认证证...