北京邮电大学自动化学院。
2009-2024年度春季学期模拟电子技术期中考试试卷。
一、 填空题（本题15分，每空1分）
1. 半导体中存在两种载流子：带负电的自由电子和带正电的空穴 。
2. pn结的击穿类型分为齐纳击穿和雪崩击穿两种，其中齐纳击穿是在内电场的作用下产生的，而雪崩击穿是在外电场的作用下产生的。
3. 晶体管单管放大电路的三种接法： 共射 、 共集 、 共基 。
4. 同一种导电类型的bjt构成复合管时，应该将前一只管子的射极接至后一只管子的基极。
5. bjt放大电路的静态工作点过高可能引起饱和失真，过低则可能引起截止失真。分压式偏置电路具有自动稳定静态工作点的优点。
6. 研究rc低通电路的频率响应的目的在于：它是和模拟放大电路的高频响应类似的。对于rc低通电路的频率响应，主要是研究其高频特性。
7. 已知某放大电路由三个单级放大电路组成，已知每级电压放大倍数为40ｄｂ，则总的电压放大倍数为 120 ｄｂ相当于 106 倍。
二、 选择题（本题15分，每空2分）
1．本征半导体电子浓度（ c ）空穴浓度；n型半导体的电子浓度（ a ）空穴浓度；p型半导体的电子浓度（ b ）空穴浓度。
a：大于；b：小于；c：等于。
2．场效应管属于（ a ）控制型器件，bjt三极管则属于（ b ）控制器件。
a：电压；b：电流；c：电感；d：电容。
3．bjt三极管工作在放大状态时，应使发射结（ a ）偏置；集电结（ b ）偏置。
a：正向；b：反向；c：零向；d：随便。
4．pn结加正向电压时，空间电荷区将（ a ）。
a：变窄； b：基本不变；c：变宽。
5．杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（ a ）。
a：杂质浓度；b：温度；c：输入；d：电压。
6．稳压管构成的稳压电路，其接法是（ c ）。
a:稳压二极管与负载电阻串联 b:稳压二极管与负载电阻并联。
c:限流电阻与稳压二极管串联后，负载电阻再与稳压二极管并联。
7. 为了获得输入电压中的低频信号，应选用（ a ）滤波电路。
a：低通；b：高通；
8. 多级放大电路的通频带同自身某一级的通频带相比要（ b ）。
a：宽；b：窄；
9. bjt放大电路的低频响应主要是由（ a ）对交流信号的衰减作用。
a：耦合电容和旁路电容的电容效应；b：发射结和集电结的电容效应；
三、简答题（共10分，每小题5分）
1. 写出如图所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压ud＝0.7v。
解：uo1≈1.3v，uo2＝0，uo3≈－1.3v，uo4≈2v。
2. 若由pnp型管组成的共射电路中，输出电压波形如图（a）、（b）、（c）所示，则分别产生了什么失真？
解：（a）截止失真；（b）饱和失真；（c）同时出现饱和失真和截止失真。
三、 计算题（共45分）
1、电路如图所示，晶体管的＝80，rbe=1kω。(15分)
1）求出q点；(5分)
2）画出微变等效电路，分别求出rl＝∞和rl＝3kω时的o和ri；(8分)
3）求出r。(2分)
1、解：（1）求解q点：
（2）求解输入电阻和电压放大倍数：
rl＝∞时。
rl＝3kω时。
（3）求解输出电阻：
2、电路如图所示，已知场效应管的低频跨导为gm，试写出、ri和ro的表达式。(10分)
解：、ri和ro的表达式分别为。
3、设如下图所示的电路的静态工作点合适，请画出它们的交流等效电路，并写出、ri和ro的表达式。（10分）
解：4. 已知如下图所示的共射放大电路静态工作点合适，npn型的bjt三极管工作在放大状态。
已知三极管的共射电流放大系数为，已知三极管的发射结管压降为。电路中所标出的电阻阻值、电源电压均为已知量。(10分)
1）试求出如下图所示电路q点。(5分)
2）写出、ri和ro 的表达式。(5分)
解：q点为。
ri和ro的表达式分别为。
2024年春季模电期中试卷答案 2
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