考试试卷( 1 )卷。
一、填空题（本题共8小题，每空1分，共20分）
1、电子技术包括和电力电子技术两大分支，通常所说的模拟电子技术和数字电子技术就属于前者。
2、为减少自身损耗，提高效率，电力电子器件一般都工作在___状态。当器件的工作频率较高时损耗会成为主要的损耗。
3、在pwm控制电路中，载波频率与调制信号频率之比称为当它为常数时的调制方式称为___调制。在逆变电路的输出频率范围划分成若干频段，每个频段内载波频率与调制信号频率之比为桓定的调制方式称为调制。
4、面积等效原理指的是相等而___不同的窄脉冲加在具有惯性的环节上时，其效果基本相同。
5、在gtr、gto、igbt与mosfet中，开关速度最快的是单管输出功率最大的是应用最为广泛的是。
6、设三相电源的相电压为u2，三相半波可控整流电路接电阻负载时，晶闸管可能承受的最大反向电压为电源线电压的峰值，即 ，其承受的最大正向电压为 。
7、逆变电路的负载如果接到电源，则称为逆变，如果接到负载，则称为逆变。
8、如下图，指出单相半桥电压型逆变电路工作过程中各时间段电流流经的通路(用v1,vd1,v2,vd2表示)。
1) 0~t1时间段内，电流的通路为2) t1~t2时间段内，电流的通路为___
3) t2~t3时间段内，电流的通路为___4) t3~t4时间段内，电流的通路为___5) t4~t5时间段内，电流的通路为___
二、选择题（本题共10小题，前4题每题2分，其余每题1分，共14分）
1、单相桥式pwm逆变电路如下图，单极性调制工作时，在电压的正半周是（ ）
a、v1与v4导通，v2与v3关断。
b、v1常通，v2常断，v3与v4交替通断。
c、v1与v4关断，v2与v3导通。
d、v1常断，v2常通，v3与v4交替通断。
2、对于单相交流调压电路，下面说法错误的是（ ）
a、晶闸管的触发角大于电路的功率因素角时，晶闸管的导通角小于180度。
b、晶闸管的触发角小于电路的功率因素角时，必须加宽脉冲或脉冲列触发，电路才能正常工作。
c、晶闸管的触发角小于电路的功率因素角正常工作并达到稳态时，晶闸管的导通角为180度。
d、晶闸管的触发角等于电路的功率因素角时，晶闸管的导通角不为180度
3、在三相三线交流调压电路中，输出电压的波形如下图所示，在t1~t2时间段内，有（ ）晶闸管导通。
a、1个b、2个c、3个d、4个
4、对于单相交交变频电路如下图，在t1~t2时间段内，p组晶闸管变流装置与n组晶闸管变流装置的工作状态是（ ）
a、p组阻断，n组整流b、p组阻断，n组逆变。
c、n组阻断，p组整流d、n组阻断，p组逆变。
5、电阻性负载三相半波可控整流电路中，控制角的范围是（ ）
a、30°～150 b、0°～120° c、15°～125° d、0°～150°
6、桓流驱动电路中加速电容c的作用是。
a、加快功率晶体管的开通b、延缓功率晶体管的关断
c、加深功率晶体管的饱和深度d、保护器件
7、直流斩波电路是一种（ ）变换电路。
a、ac/ac b、dc/ac c、dc/dc d、ac/dc
8、为限制功率晶体管的饱和深度，减少存储时间，桓流驱动电路经常采用（ ）
a、du/dt抑制电路 b、抗饱和电路 c、di/dt抑制电路 d、吸收电路
9、已经导通的晶闸管的可被关断的条件是流过晶闸管的电流（ ）
a、减小至维持电流以下 b、减小至擎住电流以下。
c、减小至门极触发电流以下d、减小至5a以下
10、igbt是一个复合型的器件，它是（ ）
a、gtr驱动的mosfetb、mosfet驱动的gtr
c、mosfet驱动的晶闸管d、mosfet驱动的gto
三、简答题（共3小题，22分）
1、简述晶闸管导通的条件与关断条件。（7分）
2、电压型逆变电路的主要特点是什么？（8分）
3、简述实现有源逆变的基本条件，并指出至少两种引起有源逆变失败的原因（7分）
四、作图题（共 2 小题，每题12分，共24分）
1、三相全控桥，阻感负载，主回路整流变压器的接法是d,y5，采用npn管的锯齿波触发器，要求在整流与逆变状态运行。同步变压器二侧电压经r-c滤波器滤波后（滞后角为30°）接到触发电路。同步变压器的的接法为y/y-10，4接法，如下图所示，选择晶闸管的同步电压。
（要给出分析过程，分析依据）
2、电路与波形如图所示。（1）若在t1时刻合上k，在t2时刻断开k，画出负载电阻r上的电压波形；（2）若在t1时刻合上k，在t3时刻断开k，画出负载电阻r上的电压波形。（ug宽度大于3600）。
a）电路图。
b）输入电压u2的波形图。
五、计算题（共 1 小题，共20分）
1、电路如图所示，单相全控桥式整流电路接大电感负载，r=4ω，u2=220v。
1）触发角为60°时，(a) 试求ud、id、晶闸管电流平均值idvt、晶闸管电流有效值ivt、变压器副边电流有效值i2；（b）作出ud、id、ivt2、i2 的波形图（图标清楚，比例适当）。
2）当负载两端接有续流二极管时，（a）试求ud、id、idvt、ivt、ivd、i*** 、i2；（b）作出ud、id、ivt2、ivd、i2 的波形图（图标清楚，比例适当）。
电力电子技术试卷A
内江职业技术学院2009 2010学年度第一学期试卷 a卷 考试课程 电力电子技术 出题教师张强课程性质选修系别电气工程系专业电气自动化技术拟用层次大专 年级 2008级班级 08电气大专 三年 一班考核办法考查 开卷 学号姓名。一 填空题 每空1分，共29分 1 双向晶闸管的触发方式有 i 触发 ...
电力电子技术试卷A
一填空题 每空1分，共24分 1.晶闸管一旦导通，门极就失去了控制作用，故晶闸管为 器件。能保持晶闸管导通的最小电流称为 2.有一晶闸管的型号为kk200 9，请说明kk200表示表示 9表示 3.按逆变后能量馈送去向不同来分类，电力电子元件构成的逆变器可分为逆变器与逆变器两大类。4.由晶闸管构成的...
电力电子技术试卷
xxxx cccc专业班级姓名学号。一 填空 每空2分，共20分 1.晶闸管的导通条件 关断条是 2.电力电子器件中属于不可控器件的是属于半控型器件的是。3.同步电压为锯齿波发生电路，由 锯齿波形成及脉冲移相控制环节 放大和输出环节和强触发环节组成。4.三相桥式全控整流电路，当负载电阻负载时，要求晶...